我们在这里将以一个真实的嵌入式linux系统的启动过程为例，来分析这些输出信息。启动信息的原始内容将用标记标出，以区别与注释。

　　嵌入式linux的启动主要分为两个阶段：

　　① 第一部分bootloader启动阶段

　　② 第二部分linux 内核初始化和启动阶段

　　Bootloader头信息，版本，编译时间等，这个因不同的bootloader的设计而有所不同，由此你能看出bootloader的版本信息，有很多使用的是通用的bootloader，如u-boot，redboot等。

Loaded to 0x90060000

　　将bootloader加载到内存ram中的0x90060000处，即将bootloader加载到内存的高端地址处。Linux内核将被bootloader加载到0x90090000处:

Found boot configuration

　　查找到了启动boot的配置信息:

Booted from parallel flash

　　从flash中启动代码，此处的flash为并行闪存。Flash的分类列举如下：

　　闪存分三类：并行，串行，不可擦除。

　　①并行Parallel flash

　　NOR Flash，Intel于1988年发明．随机读取的速度比较快，随机按字节写，每次可以传输8Bit。一般适合应用于数据/程序的存贮应用中．NOR还可以片内执行(execute-in-place)XIP．写入和擦除速度很低。

　　NAND Flash，1989年，东芝公司发明．是以块和页为单位来读写的，不能随机访问某个指定的点.因而相对来说读取速度较慢，而擦除和写入的速度则比较快,每次可以传输16Bit,一般适用在大容量的多媒体应用中，容量大。如：CF，SM.

　　②串行Serial Flash 是以字节进行传输的，每次可以传输1-2Bit.如：MMC,SD,MS卡．串行闪存器件体积小，引脚也少，成本相对也更低廉。　

　　③不可擦除Mask Rom Flash的特点是一次性录入数据，具有不可更改性，经常运用于游戏和需版权保护文件等的录入。其显著特点是成本低。

　　注意：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

　　从上面的信息，我们可以对flash类型特点有个比较明确的了解。

CPU clock rate: 200 MHz

　　开发板上所使用的CPU的主频为200MHZ。

DRAM size is 128MB (128MB/0MB)

　　动态内存ram大小为128M。这里我们列举一下内存的类型及工作原理。

　　根据内存的工作原理可以划分出两种内存：DRAM和SRAM

　　①DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。

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